IVACE R&D 2020 Project for Characterization of Semiconductors

El PROYECTO SISTEMA DE CARACTERIZACIÓN DE SEMICONDUCTORES MEDIANTE LA TÉCNICA DE CORRIENTE TRANSITORIA DE ABSORCIÓN DE DOS FOTONES ha sido realizado con ayuda del Instituto Valenciano de Competitividad Empresarial (IVACE) acogido al programa Proyectos de I+D de PYME (PIDI-CV) y cofinanciado por los fondos FEDER a través del programa operativo FEDER de la Comunitat Valenciana.

SISTEMA DE CARACTERIZACIÓN DE SEMICONDUCTORES MEDIANTE LA TÉCNICA DE CORRIENTE TRANSITORIA DE ABSORCIÓN DE DOS FOTONES

PROYECTO REALIZADO CON LA AYUDA DEL INSTITUTO VALENCIANO DE COMPETITIVIDAD EMPRESARIAL (IVACE) ACOGIDO AL PROGRAMA PROYECTOS DE I+D DE PYME (PIDI-CV) 2020 Y COFINANCIADO POR LOS FONDOS FEDER A TRAVÉS DEL PROGRAMA OPERATIVO FEDER DE LA COMUNITAT VALENCIANA 2014-2020.

SISTEMA DE CARACTERIZACIÓN DE SEMICONDUCTORES MEDIANTE LA TÉCNICA DE CORRIENTE TRANSITORIA DE ABSORCIÓN DE DOS FOTONES

Nº Expediente: IMIDTA/2020/32 PROGRAMA: PROYECTOS DE I+D DE PYME (PIDI-CV) ACTUACIÓN: I+D PYME (PIDI-CV) 2020 PROYECTO: SISTEMA DE CARACTERIZACIÓN DE SEMICONDUCTORES MEDIANTE LA TÉCNICA DE CORRIENTE TRANSITORIA DE ABSORCIÓN DE DOS FOTONES. OBJETO: El objetivo del proyecto se centra en el estudio y desarrollo de un sistema de caracterización de materiales semiconductores con técnicas no invasivas, localizadas y de forma rápida. Concretamente se pretende desarrollar el prototipo basado en la técnica de corriente transitoria mediante la absorción de dos fotones (TPA-TCT). ENTIDAD BENEFICIARIA: FYLA LASER, S.L. IMPORTE AYUDA: 58.949,14€